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本例采用第三种方法，即在驱动变压器的各绕组间加绕屏蔽层，其结构如图3所示，共5个绕组和5个屏蔽层。整个变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制，N1接到控制回路的地;两个下管驱动绕组由于电位变化不大，同时与N2连接，实际上是接到了功率地;N3和N4将上管绕组NA包了起来，并与NA的异名端相接;N5将绕组ND与NA隔离。,抗腐蚀能力强：非晶合金铁芯通过和耐高温硅胶进行全封装置处理，有效防止锈蚀和非晶合金碎片unitek中国-unitek经销-unitek本例采用第三种方法，即在驱动变压器的各绕组间加绕屏蔽层，其结构如图3所示，共5个绕组和5个屏蔽层。整个变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制，N1接到控制回路的地;两个下管驱动绕组由于电位变化不大，同时与N2连接，实际上是接到了功率地;N3和N4将上管绕组NA包了起来，并与NA的异名端相接;N5将绕组ND与NA隔离。,抗腐蚀能力强：非晶合金铁芯通过和耐高温硅胶进行全封装置处理，有效防止锈蚀和非晶合金碎片unitek中国-unitek经销-unitek本例采用第三种方法，即在驱动变压器的各绕组间加绕屏蔽层，其结构如图3所示，共5个绕组和5个屏蔽层。整个变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制，N1接到控制回路的地;两个下管驱动绕组由于电位变化不大，同时与N2连接，实际上是接到了功率地;N3和N4将上管绕组NA包了起来，并与NA的异名端相接;N5将绕组ND与NA隔离。,抗腐蚀能力强：非晶合金铁芯通过和耐高温硅胶进行全封装置处理，有效防止锈蚀和非晶合金碎片本例采用第三种方法，即在驱动变压器的各绕组间加绕屏蔽层，其结构如图3所示，共5个绕组和5个屏蔽层。整个变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制，N1接到控制回路的地;两个下管驱动绕组由于电位变化不大，同时与N2连接，实际上是接到了功率地;N3和N4将上管绕组NA包了起来，并与NA的异名端相接;N5将绕组ND与NA隔离。,抗腐蚀能力强：非晶合金铁芯通过和耐高温硅胶进行全封装置处理，有效防止锈蚀和非晶合金碎片本例采用第三种方法，即在驱动变压器的各绕组间加绕屏蔽层，其结构如图3所示，共5个绕组和5个屏蔽层。整个变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制，N1接到控制回路的地;两个下管驱动绕组由于电位变化不大，同时与N2连接，实际上是接到了功率地;N3和N4将上管绕组NA包了起来，并与NA的异名端相接;N5将绕组ND与NA隔离。,抗腐蚀能力强：非晶合金铁芯通过和耐高温硅胶进行全封装置处理，有效防止锈蚀和非晶合金碎片本例采用第三种方法，即在驱动变压器的各绕组间加绕屏蔽层，其结构如图3所示，共5个绕组和5个屏蔽层。整个变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制，N1接到控制回路的地;两个下管驱动绕组由于电位变化不大，同时与N2连接，实际上是接到了功率地;N3和N4将上管绕组NA包了起来，并与NA的异名端相接;N5将绕组ND与NA隔离。,抗腐蚀能力强：非晶合金铁芯通过和耐高温硅胶进行全封装置处理，有效防止锈蚀和非晶合金碎片