ENIDINE可调式减震器M27LROEM1.0MF38326-缓冲器
对类伪NMOS逻辑中的n输入逻辑门,只要1个PMOS、1个NMOS、n个SET就能实现其功能,与CMOS逻辑相比,类伪NMOS逻辑节省了面积,与伪NMOS逻辑相比,类伪NMOS逻辑降低了功耗。更为主要的,类伪NMOS逻辑对基于SET的大规模集成是非常适合的。4.设计了基于SETMOS逻辑的可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元和可重构类伪NMOS逻辑。我们设计了基于SETMOS逻辑的可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元,对该单元进行了模拟并获得了很好的结果,这是基于SETMOS逻辑进行可重构设计的跨越性的一步,为后续的可重构设计奠定了坚实的基础。根据可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元,我们提出了更为一般的基于SETMOS混合结构的可重构逻辑,同时结合第四章中提出的类伪NMOS逻辑,我们将基于SETMOS混合结构的可重构逻辑命名为可重构类伪NMOS逻辑,通过对可重构类伪NMOS逻辑中3输入代表性电路、多级电路、多扇出电路的设计和模拟,分别研究了其面积、功耗、延迟、电压摆幅和驱动能力等多项性能指标,并与传统的CMOS逻辑进行比较。
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具体内容如下:1.指出构建评价各类碰撞ENIDINE缓冲器性能的评价指标的必要性,分析国内外ENIDINE缓冲器性能研究现状,针对现有ENIDINE缓冲器缓冲性能评价的局限性,提出了ENIDINE的研究目的及内容。2.以汽车碰撞特点、碰撞ENIDINE缓冲器的应用要求为基础,结合落锤冲击试验系统技术特点,从加速度特性、载荷特性、冲程效率、响应时间四个方面提出了评价指标,并分析了各评价指标与缓冲性能之间的关系。3.通过分析前期试验结果,对磁流变ENIDINE缓冲器波纹管尺寸及通道结构进行了优化。基于落锤冲击试验台,对磁流变ENIDINE缓冲器进行了一系列冲击试验,分析了ENIDINE缓冲器的变形特点、冲击力时间历程、加速度时间历程。
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在对规程进行认真分析后,结合专业化工艺布局技术,进行系统布局设计,画出工艺流程图,并据此进行检修方案设计及设备选型。在设备选型时,体现了以工装保工艺,以工艺保质量的指导思想。该厂新建钩缓间的设计方案注重满足满足检修工艺要求和生产能力,因此力求布局方案科学合理,提高了设备自动化程度,不主型设备都采用PC控制,为配合全路的信息化建设,许多设备都设有HMIS数据接口。改造后的钩缓间的检修工艺布局彻底解决了下线检修和作业方式,废除了人工搬运和来往的运输车辆。设计符合各项技术政策,、环境保和定置管理的要求,已成为全路一流的货车车钩缓冲装置检修间。针对目前磁流变(Magneto-rheological,MR)ENIDINE缓冲器结构的设计主要基于Bingham塑性模型,不能解决高速下设计的问题,提出一种可用于汽车碰撞缓冲系统的MRENIDINE缓冲器结构优化设计方案。