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对类伪NMOS逻辑中的n输入逻辑门,只要1个PMOS、1个NMOS、n个SET就能实现其功能,与CMOS逻辑相比,类伪NMOS逻辑节省了面积,与伪NMOS逻辑相比,类伪NMOS逻辑降低了功耗。更为主要的,类伪NMOS逻辑对基于SET的大规模集成是非常适合的。4.设计了基于SETMOS逻辑的可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元和可重构类伪NMOS逻辑。我们设计了基于SETMOS逻辑的可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元,对该单元进行了模拟并获得了很好的结果,这是基于SETMOS逻辑进行可重构设计的跨越性的一步,为后续的可重构设计奠定了坚实的基础。根据可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元,我们提出了更为一般的基于SETMOS混合结构的可重构逻辑,同时结合第四章中提出的类伪NMOS逻辑,我们将基于SETMOS混合结构的可重构逻辑命名为可重构类伪NMOS逻辑,通过对可重构类伪NMOS逻辑中3输入代表性电路、多级电路、多扇出电路的设计和模拟,分别研究了其面积、功耗、延迟、电压摆幅和驱动能力等多项性能指标,并与传统的CMOS逻辑进行比较。
ENIDINEOEM.5MBMB21541-办事处ENIDINE（安力定）是上专业设计及生产液压缓冲器、速度控制器、钢绳隔振器、空气弹簧及不锈钢气弹簧等能量吸收及隔振产品的制造商。ENIDINE是全球工业高度认可的能量吸收和隔振的优选方案，专业的设计能令您的设备工作时更宁静，更安全及更有效率。 ENIDINE拥有种类丰富齐全的液压缓冲器和速度控制器，OEM系列工业用标准型、TK系列、STH系列、PM系列、PRO系列、SINO系列、重型HD／HAD系列、重工业HI系列、Jarret系列、速度控制器ADA系列、DA系列等有近500种标准产品可供您选择。
仿真结果表明,在5位控制字作用下,I或者Q路本振ENIDINE缓冲器的相移在0~8°的范围内呈现近乎线性的变化,而本振ENIDINE缓冲器的输出功率的变化范围只有0.2dB。"气缸ENIDINE缓冲器在自动化气动生产线上起着重要作用。目前这类ENIDINE缓冲器的产品很多，但对其原理，尤其是从结构和机理等方面对其特性进行详细的理论和实验研究得很少。ENIDINE对气动ENIDINE缓冲器和气缸用液压ENIDINE缓冲器的结构原理和特性进行全面、系统的理论分析和实验研究，对ENIDINE缓冲器的设计、性能改进和提高气动生产线的性能及可靠性有着重要的理论和工程实际意义。ENIDINE主要内容有如下几个方面：．在综述气动技术的地位、发展现状和展望的基础上。
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(5)利用ANSYS软件分别对优化前后的波纹管进行了动力学仿真,对通道进行了流体力学仿真,对比了优化前后波纹管的刚度值、压缩量,分析了通道流体速度场和压力场分布情况,以此评价了优化前后ENIDINE缓冲器的工作性能。ENIDINE以某发射装置为研究背景,建立了发射装置动力学有限元模型,采用有限元法结合二次开发子程序进行了仿真计算,研究了后坐过程中不同结构参数对发射装置ENIDINE缓冲器动态特性及炮口扰动的影响,并应用结构优化理论和遗传算法对发射装置ENIDINE缓冲器结构参数进行了优化设计。主要内容如下:探讨了磁流变液关键技术及磁流变阻尼器的缓冲原理,建立了基于Bingham本构模型的磁流变阻尼器力学模型,分析了结构参数对ENIDINE缓冲器输出阻力及其动力可调系数的影响。
