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具体内容如下:1.指出构建评价各类碰撞ENIDINE缓冲器性能的评价指标的必要性,分析国内外ENIDINE缓冲器性能研究现状,针对现有ENIDINE缓冲器缓冲性能评价的局限性,提出了ENIDINE的研究目的及内容。2.以汽车碰撞特点、碰撞ENIDINE缓冲器的应用要求为基础,结合落锤冲击试验系统技术特点,从加速度特性、载荷特性、冲程效率、响应时间四个方面提出了评价指标,并分析了各评价指标与缓冲性能之间的关系。3.通过分析前期试验结果,对磁流变ENIDINE缓冲器波纹管尺寸及通道结构进行了优化。基于落锤冲击试验台,对磁流变ENIDINE缓冲器进行了一系列冲击试验,分析了ENIDINE缓冲器的变形特点、冲击力时间历程、加速度时间历程。
EINDINE缓冲器代理商山东望舒国际贸易有限公司是ITT ENIDINE能量吸收装置的中国办事处，ITT Enidine Inc, 总部位于纽约奥查德帕克，是工程化机械ENIDINE减振器、ENIDINE隔振产品、ENIDINE消除噪音产品，以及减速设备和液压/气压驱动及运动控制应用领域产品的卓越供应商。 我们的产品在全球工业、航空、国防、自动化和基础设施市场均得到广泛应用；山东望舒国际贸易有限公司作为ENIDINE减振器的中国供应商为您提供ITT ENIDINE缓冲器、减振器、阻尼器、隔振器等产品价格、货期、订货等业务
并对优化结果进行线性相关度和响应面分析，分析关键尺寸对ENIDINE缓冲器的两个设计目标的影响。(3)结合汽车碰撞ENIDINE缓冲器的技术要求，选择多目标优化计算后的一组优化结果作为ENIDINE缓冲器设计的关键尺寸，经过总体设计和加工组装后，通过电磁振动试验台对磁流变ENIDINE缓冲器进行正弦激励实验研究。根据实验结果分析磁流变ENIDINE缓冲器稳态工作特性，为高速下的实验设计提供依据。(4)搭建了跌落试验系统，测试了四种不同冲击速度下磁流变ENIDINE缓冲器的响应特性，根据测试结果分析其缓冲性能，然后比较ENIDINE缓冲器阻尼力理论预测和实验的结果，分析产生误差的主要原因，并通过数据拟合建立阻尼力关于速度和电流的控制模型。
对类伪NMOS逻辑中的n输入逻辑门,只要1个PMOS、1个NMOS、n个SET就能实现其功能,与CMOS逻辑相比,类伪NMOS逻辑节省了面积,与伪NMOS逻辑相比,类伪NMOS逻辑降低了功耗。更为主要的,类伪NMOS逻辑对基于SET的大规模集成是非常适合的。4.设计了基于SETMOS逻辑的可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元和可重构类伪NMOS逻辑。我们设计了基于SETMOS逻辑的可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元,对该单元进行了模拟并获得了很好的结果,这是基于SETMOS逻辑进行可重构设计的跨越性的一步,为后续的可重构设计奠定了坚实的基础。根据可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元,我们提出了更为一般的基于SETMOS混合结构的可重构逻辑,同时结合第四章中提出的类伪NMOS逻辑,我们将基于SETMOS混合结构的可重构逻辑命名为可重构类伪NMOS逻辑,通过对可重构类伪NMOS逻辑中3输入代表性电路、多级电路、多扇出电路的设计和模拟,分别研究了其面积、功耗、延迟、电压摆幅和驱动能力等多项性能指标,并与传统的CMOS逻辑进行比较。
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ENIDINE 缓冲器产品系列有 OEMXT/OEM系列（可调缓冲器）、TK/STH系列（不可调缓冲器）、PM/PRO系列（不可调缓冲器）、HDA/HDN系列（重型缓冲器）、HI系列（重型缓冲器）。
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