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明显地,这种可重构逻辑能扩展到任意的n输入的情形。在n输入可重构类伪NMOS逻辑电路中,通过电路的可重构性和不同的配置,仅仅使用1个PMOS管、1个NMOS管和n个SET最多能实现2n种逻辑功能,这能大大减少面积和功耗。5.设计了可重构单SET多输入逻辑。我们从机理上对可重构类伪NMOS逻辑进行研究。基于该机理,我们设计了基于SETMOS混合结构的另一种可重构逻辑:可重构单SET多输入逻辑,该种该类SETMOS混合逻辑中,其结构固定不变,由PMOS管、NMOS管与SET串联构成,仅仅通过在SET的栅端增加电容和输入的个数而改变其获得新的功能。我们还根据可重构单SET多输入逻辑结构设计了可重构NAND/NOR系列逻辑。
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并对优化结果进行线性相关度和响应面分析,分析关键尺寸对ENIDINE缓冲器的两个设计目标的影响。(3)结合汽车碰撞ENIDINE缓冲器的技术要求,选择多目标优化计算后的一组优化结果作为ENIDINE缓冲器设计的关键尺寸,经过总体设计和加工组装后,通过电磁振动试验台对磁流变ENIDINE缓冲器进行正弦激励实验研究。根据实验结果分析磁流变ENIDINE缓冲器稳态工作特性,为高速下的实验设计提供依据。(4)搭建了跌落试验系统,测试了四种不同冲击速度下磁流变ENIDINE缓冲器的响应特性,根据测试结果分析其缓冲性能,然后比较ENIDINE缓冲器阻尼力理论预测和实验的结果,分析产生误差的主要原因,并通过数据拟合建立阻尼力关于速度和电流的控制模型。
据此,对每条生产线要达到的目的都提出明确要求。并进行了设计和设备选型。在改造后,各项生产指标均达到设计要求。成为全路一流的货车车钩缓冲装置检修间。传统汽车缓冲装置由于参数不可控制、自适应能力差,只能在特定的碰撞环境下才能取得较好的缓冲效果,限制了其广泛的应用。磁流变缓冲装置作为一种智能ENIDINE缓冲器件,具有缓冲力实时可控、自适应能力强的优点,弥补了传统缓冲装置的不足,是目前汽车碰撞缓冲装置的重要发展方向之一。鉴于汽车碰撞过程极短,对磁流变缓冲装置的响应时间提出了极高的要求,驱动电流源的响应时间是ENIDINE缓冲器响应时间的主要影响因素之一,因此设计快速响应的电流源直接决定磁流变缓冲装置能否有效、可靠的运行。
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ENIDINE 缓冲器产品系列有 OEMXT/OEM系列(可调缓冲器)、TK/STH系列(不可调缓冲器)、PM/PRO系列(不可调缓冲器)、HDA/HDN系列(重型缓冲器)、HI系列(重型缓冲器)。
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