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   日期:2019-01-08     来源:山东望舒国际贸易有限公司    浏览:2    评论:0    
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①从磁流变弹性体颗粒铁磁性和基体粘弹性分析其磁致特征,在偶极子模型和耦合场物理模型的基础上,提出了一种与磁场有一定角度的斜链耦合场模型的推导公式,推导出磁致剪切模量与颗粒初始倾斜角的关系:增大颗粒链的初始角度会降低磁致剪切模量,最后通过动态机械分析仪(DMA),对磁流变弹性体样品进行了不同磁场、频率的磁致剪切储能模量、损耗模量及损耗因子测试,验证了粘弹性模型的合理性。②在磁流变弹性体的工作模式上对磁流变隔振ENIDINE缓冲器的结构设计进行讨论。结合粘弹性材料的基本模型—开尔文模型,构建了一个表征磁流变弹性体力学性能的粘弹性模型,并利用搭建的磁流变隔振ENIDINE缓冲器力学性能测试平台,对其进行测试,测试结果表明,随着电流的增大,其剪切刚度逐渐增大,可以表征为励磁电流的函数。

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明显地,这种可重构逻辑能扩展到任意的n输入的情形。在n输入可重构类伪NMOS逻辑电路中,通过电路的可重构性和不同的配置,仅仅使用1个PMOS管、1个NMOS管和n个SET最多能实现2n种逻辑功能,这能大大减少面积和功耗。5.设计了可重构单SET多输入逻辑。我们从机理上对可重构类伪NMOS逻辑进行研究。基于该机理,我们设计了基于SETMOS混合结构的另一种可重构逻辑:可重构单SET多输入逻辑,该种该类SETMOS混合逻辑中,其结构固定不变,由PMOS管、NMOS管与SET串联构成,仅仅通过在SET的栅端增加电容和输入的个数而改变其获得新的功能。我们还根据可重构单SET多输入逻辑结构设计了可重构NAND/NOR系列逻辑。

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因此,ENIDINE分析研究了在室温条件下SET的新特性,基于SETMOS混合结构设计了类伪NMOS逻辑和可重构逻辑等,主要创新工作体现在:1.改进了SET的电导分析模型,并基于改进了的电导分析模型对其电导特性进行了初步分析。基于此模型,我们对栅-源、源-漏的电导特性进行了验证,其结果与SET的I-V特性如库仑振荡、库仑阻塞和库仑台阶等完全相符。特别地,通过分析证明,该模型适用于0KT≤300K下的SET。此外,我们还利用该电导分析模型对SET负微分电导进行了验证和初步分析。2.提出了能量量子化条件下的SET分析模型,并对该模型进行了验证。从正则理论出发,计算出室温条件下SET的临界尺寸:存储器件为6.9nm,逻辑器件为1.7nm;计算出SET室温下发生能量量子化效应的临界尺寸:2.3nm。

 
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