ENIDINEPM2050-办事处
建立了发射装置结构动力学非线性有限元模型,在ABAQUS软件上开发了基于用户子程序VUAMP接口的Fortran程序,在此基础上建立了ENIDINE缓冲器载荷模型。利用隐式动力学方法进行数值计算,获得了后坐过程中发射装置ENIDINE缓冲器输出阻力、后坐运动规律以及炮口扰动规律。基于建立的发射装置动力学有限元模型,以弹丸出炮口时刻的炮口中心水平和竖直方向的位移、速度、角位移和角速度为目标函数,研究了发射装置ENIDINE缓冲器输入电流、阻尼通道间隙、活塞直径、活塞杆直径、活塞有效长度等结构参数对ENIDINE缓冲器输出阻力、后坐运动及炮口扰动的影响规律,及ENIDINE缓冲器安装位置和滑轨安装位置对炮口扰动的影响规律。
EINDINE缓冲器代理商山东望舒国际贸易有限公司是ITT ENIDINE能量吸收装置的中国办事处，ITT Enidine Inc, 总部位于纽约奥查德帕克，是工程化机械ENIDINE减振器、ENIDINE隔振产品、ENIDINE消除噪音产品，以及减速设备和液压/气压驱动及运动控制应用领域产品的卓越供应商。 我们的产品在全球工业、航空、国防、自动化和基础设施市场均得到广泛应用；山东望舒国际贸易有限公司作为ENIDINE减振器的中国供应商为您提供ITT ENIDINE缓冲器、减振器、阻尼器、隔振器等产品价格、货期、订货等业务
②由ENIDINE缓冲器的励磁线圈结构得到ENIDINE缓冲器等效电路模型,结合实际简化了ENIDINE缓冲器等效电路,从理论上分析了磁流变ENIDINE缓冲器响应时间的主要影响因素,通过Matlab软件仿真得到ENIDINE缓冲器等效电阻、等效电感、供电电压等对响应时间的影响,并提出了通过提高前级供电电压和采用高效的控制方法来降低磁流变ENIDINE缓冲器的响应时间。③比较了半桥变换器、全桥变换器和推挽变换器拓扑结构的优缺点,针对大阻值、大电感的磁流变ENIDINE缓冲器,提出了一种新的“推挽+Buck”两级式结构,并详细分析了所选拓扑结构的工作原理及各个元器件所承受的电压应力和电流应力,为元器件选择提供了参考。
考虑到能量量子化带来的副作用,从室温下能正常工作的SET的制备已取得的成果中对避免能量量子化效应提出了解决办法:SETMOS混合逻辑。3.设计了基于SETMOS混合结构的类伪NMOS逻辑。从伪NMOS逻辑出发,我们提出了基于SETMOS混合结构的类伪NMOS逻辑,给出了它的一般结构,并通过仿真验证了具有代表性的3输入混合下拉网络类伪NMOS逻辑。基于类伪NMOS逻辑,我们设计了NAND门,NOR门以及n输入混合PDN门,对上述逻辑门的功能、功耗、延迟、面积和电压摆幅等功能性能问题进行了研究,并与利用CMOS逻辑和纯SET逻辑实现上述功能门在各个方面进行详实的比较。我们对类伪NMOS逻辑的多级电路以及多扇出电路的驱动能力进行了研究,结果显示类伪NMOS逻辑的驱动能力与预测一致,并能够保持电压摆幅的恒定以及功耗的相对稳定。
ENIDINEPM2050-办事处
ENIDINE 缓冲器产品系列有 OEMXT/OEM系列（可调缓冲器）、TK/STH系列（不可调缓冲器）、PM/PRO系列（不可调缓冲器）、HDA/HDN系列（重型缓冲器）、HI系列（重型缓冲器）。
ENIDINEPM2050-办事处