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   日期:2019-01-08     来源:山东望舒国际贸易有限公司    浏览:0    评论:0    
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但流变材料沉降及高速冲击下的剪切稀化现象等问题,导致其在汽车碰撞安全领域仍处于探索阶段。因此,深入开展磁流变ENIDINE缓冲器缓冲性能的研究,查明影响缓冲性能的主要因素,构建磁流变ENIDINE缓冲器缓冲性能评价指标,必将有助于拓展汽车被动安全研究的领域,也将为保证乘员安全提供坚实的理论与实践支撑。ENIDINE根据汽车碰撞的特点,基于碰撞ENIDINE缓冲器工作原理,结合落锤冲击试验系统的技术特点,提出了适用于评价碰撞ENIDINE缓冲器的缓冲性能评价指标。以磁流变ENIDINE缓冲器研究对象,进行了系列试验研究,研究了不同冲击工况特征指标的变化规律,并依据此评价指标对所设计的ENIDINE缓冲器性能进行了综合评价。

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②由ENIDINE缓冲器的励磁线圈结构得到ENIDINE缓冲器等效电路模型,结合实际简化了ENIDINE缓冲器等效电路,从理论上分析了磁流变ENIDINE缓冲器响应时间的主要影响因素,通过Matlab软件仿真得到ENIDINE缓冲器等效电阻、等效电感、供电电压等对响应时间的影响,并提出了通过提高前级供电电压和采用高效的控制方法来降低磁流变ENIDINE缓冲器的响应时间。③比较了半桥变换器、全桥变换器和推挽变换器拓扑结构的优缺点,针对大阻值、大电感的磁流变ENIDINE缓冲器,提出了一种新的“推挽+Buck”两级式结构,并详细分析了所选拓扑结构的工作原理及各个元器件所承受的电压应力和电流应力,为元器件选择提供了参考。

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针对高可靠性领域和复杂环境对大规模反熔丝FPGA器件的迫切需求,设计了一种新的用于反熔丝FPGA的可动态配置IO接口电路。该IO接口电路具有宽的输入输出电压范围,能实现多驱动调节,支持一系列不同电平模式。通过对反熔丝单元进行编程配置,该IO接口电路可兼容多种IO标准,内核电压为2.5V,端口电压可在3.3V与5V之间转换。仿真与测试结果表明,该IO接口电路满足设计要求,接口速度优于国外同类产品。"随着结构设计思想和方法的不断改进以及高新技术的应用,工程中所遇到的冲击问题的强度越来越大,在航空、航天、、交通运输和工程建筑领域都不同程度的存在着亟待解决的冲击问题,因而冲击缓冲的研究日益引起人们的关注和重视。

 
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