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对类伪NMOS逻辑中的n输入逻辑门,只要1个PMOS、1个NMOS、n个SET就能实现其功能,与CMOS逻辑相比,类伪NMOS逻辑节省了面积,与伪NMOS逻辑相比,类伪NMOS逻辑降低了功耗。更为主要的,类伪NMOS逻辑对基于SET的大规模集成是非常适合的。4.设计了基于SETMOS逻辑的可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元和可重构类伪NMOS逻辑。我们设计了基于SETMOS逻辑的可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元,对该单元进行了模拟并获得了很好的结果,这是基于SETMOS逻辑进行可重构设计的跨越性的一步,为后续的可重构设计奠定了坚实的基础。根据可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元,我们提出了更为一般的基于SETMOS混合结构的可重构逻辑,同时结合第四章中提出的类伪NMOS逻辑,我们将基于SETMOS混合结构的可重构逻辑命名为可重构类伪NMOS逻辑,通过对可重构类伪NMOS逻辑中3输入代表性电路、多级电路、多扇出电路的设计和模拟,分别研究了其面积、功耗、延迟、电压摆幅和驱动能力等多项性能指标,并与传统的CMOS逻辑进行比较。
EINDINE缓冲器代理商山东望舒国际贸易有限公司是ITT ENIDINE能量吸收装置的中国办事处，ITT Enidine Inc, 总部位于纽约奥查德帕克，是工程化机械ENIDINE减振器、ENIDINE隔振产品、ENIDINE消除噪音产品，以及减速设备和液压/气压驱动及运动控制应用领域产品的卓越供应商。 我们的产品在全球工业、航空、国防、自动化和基础设施市场均得到广泛应用；山东望舒国际贸易有限公司作为ENIDINE减振器的中国供应商为您提供ITT ENIDINE缓冲器、减振器、阻尼器、隔振器等产品价格、货期、订货等业务
针对高可靠性领域和复杂环境对大规模反熔丝FPGA器件的迫切需求,设计了一种新的用于反熔丝FPGA的可动态配置IO接口电路。该IO接口电路具有宽的输入输出电压范围,能实现多驱动调节,支持一系列不同电平模式。通过对反熔丝单元进行编程配置,该IO接口电路可兼容多种IO标准,内核电压为2.5V,端口电压可在3.3V与5V之间转换。仿真与测试结果表明,该IO接口电路满足设计要求,接口速度优于国外同类产品。"随着结构设计思想和方法的不断改进以及高新技术的应用，工程中所遇到的冲击问题的强度越来越大，在航空、航天、、交通运输和工程建筑领域都不同程度的存在着亟待解决的冲击问题，因而冲击缓冲的研究日益引起人们的关注和重视。
在该调度策略下分配给每个ENIDINE缓冲器一个服务时间上限，以保证ENIDINE缓冲器内工作量较大时各个ENIDINE缓冲器可以公平地得到服务。证明了在满足“ENIDINE缓冲器总负荷小于各ENIDINE缓冲器的服务时间上限调整因子的最小值与***值之比”的条件下，切换服务系统在“带服务时间上限”调度策略下是周期稳定的。由于交叉口信号控制通常要考虑最短及最长信号相位绿时约束，相当于每个ENIDINE缓冲器同时满足最短及最长服务时间约束。进一步提出了“带服务时间上下限”调度策略，证明了当ENIDINE缓冲器总负荷满足条件“小于各ENIDINE缓冲器的服务时间下限调整因子的最小值与***值之比，且小于各ENIDINE缓冲器的服务时间上限调整因子的最小值与***值之比”时。
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ENIDINE 缓冲器产品系列有 OEMXT/OEM系列（可调缓冲器）、TK/STH系列（不可调缓冲器）、PM/PRO系列（不可调缓冲器）、HDA/HDN系列（重型缓冲器）、HI系列（重型缓冲器）。
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