环球仪器45272001冲击-ENIDINEHP110IF-3BBE80913-缓冲器
对类伪NMOS逻辑中的n输入逻辑门,只要1个PMOS、1个NMOS、n个SET就能实现其功能,与CMOS逻辑相比,类伪NMOS逻辑节省了面积,与伪NMOS逻辑相比,类伪NMOS逻辑降低了功耗。更为主要的,类伪NMOS逻辑对基于SET的大规模集成是非常适合的。4.设计了基于SETMOS逻辑的可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元和可重构类伪NMOS逻辑。我们设计了基于SETMOS逻辑的可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元,对该单元进行了模拟并获得了很好的结果,这是基于SETMOS逻辑进行可重构设计的跨越性的一步,为后续的可重构设计奠定了坚实的基础。根据可重构反相器/ENIDINE缓冲器单元,我们提出了更为一般的基于SETMOS混合结构的可重构逻辑,同时结合第四章中提出的类伪NMOS逻辑,我们将基于SETMOS混合结构的可重构逻辑命名为可重构类伪NMOS逻辑,通过对可重构类伪NMOS逻辑中3输入代表性电路、多级电路、多扇出电路的设计和模拟,分别研究了其面积、功耗、延迟、电压摆幅和驱动能力等多项性能指标,并与传统的CMOS逻辑进行比较。
EINDINE缓冲器代理商山东望舒国际贸易有限公司是ITT ENIDINE能量吸收装置的中国办事处，ITT Enidine Inc, 总部位于纽约奥查德帕克，是工程化机械ENIDINE减振器、ENIDINE隔振产品、ENIDINE消除噪音产品，以及减速设备和液压/气压驱动及运动控制应用领域产品的卓越供应商。 我们的产品在全球工业、航空、国防、自动化和基础设施市场均得到广泛应用；山东望舒国际贸易有限公司作为ENIDINE减振器的中国供应商为您提供ITT ENIDINE缓冲器、减振器、阻尼器、隔振器等产品价格、货期、订货等业务
ENIDINE以磁流变ENIDINE缓冲器在火炮反后坐装置中的应用为背景,采用理论分析、仿真设计、试验验证的方法,从材料特性-ENIDINE缓冲器器件-后坐缓冲系统角度,由小及大,研究了冲击载荷作用下磁流变ENIDINE缓冲器的动态特性及其在反后坐系统中的可控性问题,具体工作主要包括以下几个方面:(1)根据ENIDINE缓冲器的冲击应用环境以及磁流变液的流动状态,采用Herschel-Bulkley本构模型以反映磁流变液在高剪切速率下的剪切稀化现象。确定磁流变液在高剪切速率下的流变特性试验方案,设计了圆筒剪切型流变特性测试装置并搭建了测试系统,针对测试数据进行参数辨识,得到磁流变液在高速流动状态下的实际本构关系。
通过对车钩缓冲装置的工艺要求及原有检修间现状的分析,原车钩缓冲装置检修间在生产能力不满足现有生产任务的需求,在生产工艺上也不满足新的检修规程的要求,并且,在工艺流程布局、工装设备等方面也严重制约了生产。通过现状分析,得出结论,新建车钩缓冲装置检修间要解决的问题是:检修工艺的满足程度;检修能力的满足程度;提高劳动生产效率;降低职工的劳动强度;利用厂房的场地满足检修工艺要求,又保证其通畅;解决检修配件的存储及输送的问题;解决噪音、烟尘等环保问题;体现整个方案的协调、匹配先进;解决设备检修的方便性问题。由此展开论述,根据设计原则进行设计。在对规程进行认真分析后,画出工艺流程图,并据此进行设备选型。在设备选型时,体现了以工装保工艺,以工艺保质量的指导思想。
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ENIDINE 缓冲器产品系列有 OEMXT/OEM系列（可调缓冲器）、TK/STH系列（不可调缓冲器）、PM/PRO系列（不可调缓冲器）、HDA/HDN系列（重型缓冲器）、HI系列（重型缓冲器）。
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